如图1所示，样品A左边有一个平的区域，通过磨、锉或者黏附一个定位标记。这个区域用来定位OSP和SECM技术。样品上感兴趣的区域遮掩起来，或者用一层丙烯酸涂料封上（样品B）。一旦覆盖层去除，暴露出来的区域将发生腐蚀。最后用尖刀在样品左侧平坦区域的丙烯酸涂料上划一个十字（样品C）。这个细凹痕将成为SECM探针和OSP传感器都能检测到的形貌位置。
3.结果
1.1OSP测量
连接到M470（或M370）的OSP传感器头，可以检测漫散射激光，从而测定十字特征位置的形貌。在X和Y轴分别重复进行OSP线扫描，每次扫描后通过螺钉调整样品水平。经过多次扫描，样品十字区域调至水平，足够进行SECM实验。调平后样品的OSP线扫描结果如图3所示。OSP面扫描区域为0.25mm2，步长10?m，结果如图4所示。
十字中心找到后，OSP探针移动到中心位置，基准设为0。移动探针离开基准位置到样品上任何感兴趣的区域，探针的移动距离被记录下来。本实验中为（0，4200）?m。再进行一次OSP面扫描，这次的形貌用来解除后续SECM实验中形貌的影响。图5为焊缝周围的形貌。
1.1SECM定位
OSP扫描完成后，把SECM探针定位到十字中心，移动到极为接近表面。电解池中加入3.5% NaCl溶液，连接Pt辅助电极，Ag/AgCl参比电极（分别是CE和RE）。
由于探针非常接近表面，探针尖端一定发生反应。本实验中，选择相对Ag/AgCl参比电极-0.7V，这个电位降低了溶液中的自氧化。用这个方法，我们可以获得十字区域的图像。当探针极为接近丙烯酸时，发生负反馈，电流下降。当探针扫过十字区域，一点儿溶液与探针发生更多的氧化，电流升高。
选择美国的电流惯例，氧化电流为负，还原电流为正。
与之前OSP头的操作一样，SECM探针移到十字中心位置，基准设为0。然后把探针移动到(x, y) = (4200, 0)位置，再进行一次逼近曲线，为后续的面扫描做准备。后续的面扫描需要高度追踪数据来解除焊缝形貌的影响。图6为SECM面扫描的结果。
3.3解除形貌影响的SECM测量
做了两个不同的实验。
首先，样品施加一个电位，比测量的开路电位稍微偏正约100mV（图7）。确保系统在实验过程中没有钝化，有助于暴露那些容易发生腐蚀的区域。
其次，移除样品偏置，样品发生自然腐蚀（图8）。
两个实验中，探针电位为+0.6V vs Ag/AgCl, 所以图7和图8为Fe(II)氧化为Fe(III)。实验时间为3.5h。
图7和图8都可以看到焊缝区域有较高的负电流，表明焊缝区域的样品表面比其他区域更导电。
结论
在腐蚀样品表面演示了不受形貌影响的SECM测试新方法。M470（或M370）的这个特征允许用户测试那些用标准恒高SECM技术无法测量的样品。
OSP与SECM技术结合，测量了毫米形貌变化的腐蚀焊接样品，并保持探针和样品极为接近。测试了加电位和不加电位的样品，表明定义区域焊缝更容易发生腐蚀。Fe(II)的氧化引起的电流在+5pA到-114pA之间变化。
